​创新驱动高效，安世半导体65W氮化镓方案亮相PCIM Asia 2024

创新驱动高效，安世半导体65W氮化镓方案亮相PCIM Asia 2024

前言

2024 年 8 月 28 日至 8 月 30 日，国际电力电子展 PCIM Asia 2024 在深圳国际会展中心（宝安）隆重举行！展会同期还组织多场论坛和圆桌会议，内容广泛涵盖电动汽车、清洁能源、储能、WBG 功率器件等领域，共同探讨电力电子领域的新技术发展、应用和研究。

在展会上，安世半导体展示了其自主研发的 65W 氮化镓 PD 充电器全套解决方案，凭借其在氮化镓（GaN）技术上的创新，该方案成功实现了极高的功率密度，达到了 31.9W/in ³。这一成就不仅提升了产品的整体性能，也使得电源转换效率高达 94%，特别是在反激转换过程中表现尤为突出。

安世 65W 氮化镓 PD 充电器全套解决方案

安世 65W 氮化镓 PD 充电器全套解决方案中的反激电源控制器、PD 控制器以及功率器件均为公司自有产品，体现了其技术的深厚积累。反激控制器在温度管理方面表现卓越，适合在严苛的工业及消费类应用中使用，能够有效应对复杂的工作环境。同时，这些控制器为电源提供了丰富且完备的保护功能，确保设备在各种工作条件下的安全与稳定。

其中，NEX80605 作为该方案中的高性能的反激原边控制器，采用 TSOT23-6 封装设计，极为适合高功率密度的电源设计，管脚 VCC 支持宽压范围（10-90V），具备优化的驱动电平，能够直接驱动氮化镓元件，极大地提升了系统的效率。此外，其极低的 CS 电平阈值为系统效率的提升提供了进一步支持，结合出色的温度管理性能，显著提高了热宽容度，尤其适合高功率密度电源和工业应用。

在副边同步整流方面，该方案采用 NEX8180X 高性能反激副边同步整流控制器，NEX8180X 同样采用 TSOT23-6 封装，通过创新的控制逻辑，这款控制器有效改善了副边同步整流 MOS 驱动中的丢波和误导通等问题，进一步提升了系统的可靠性和效率。

充电头网总结

安世半导体在 PCIM Asia 2024 展会展示了 65W 氮化镓 PD 充电器解决方案，通过自主研发的反激控制器、PD 控制器和功率器件，安世的方案不仅在高功率密度设计上展现了优越的表现，同时提升了系统效率与可靠性，特别是在严苛的工业和消费应用场景中具备广泛的适用性。

NEX80605 作为该方案中的关键原边控制器，以其宽压范围支持和优化的驱动能力，使得整个系统在功率密度和温度管理方面具有明显优势。而 NEX8180X 副边同步整流控制器的创新逻辑设计，更是有效解决了关键同步整流问题，确保了系统在各类复杂工作环境中的稳定性和安全性。